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學(xué)術(shù)報(bào)告—GaSb(銻化鎵)薄膜及其超晶格結(jié)構(gòu)的分子束外延生長和物性研究

時(shí)間:2017-03-20點(diǎn)擊:編輯:光電科學(xué)分院
        為了進(jìn)一步提升光電科學(xué)分院教師學(xué)術(shù)素養(yǎng),調(diào)動學(xué)術(shù)科研積極性,分院特安排房丹老師于2017年3月15日為全體教師分享她在博士期間的工作成果和心得。報(bào)告開拓了科研思路,對現(xiàn)有科研建設(shè)有極大啟發(fā)。
        房丹老師的報(bào)告題目為“GaSb(銻化鎵)薄膜及其超晶格結(jié)構(gòu)的分子束外延生長和物性研究“,報(bào)告詳細(xì)闡述了銻化物的應(yīng)用、銻化物中紅外半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展、博士期間工作、及工作心得等四個(gè)方面。
        銻化物材料在激光器、探測器、新型電池及納米科技等領(lǐng)域中扮演著重要角色,其中2-5 μm波段的銻化物半導(dǎo)體激光器在雷達(dá)預(yù)警、導(dǎo)彈制導(dǎo)、通訊、醫(yī)療等方面顯示出極其廣闊的應(yīng)用前景。目前,2μm波段量子阱激光器已產(chǎn)業(yè)化,隨著波長的不斷增大,制備工藝難度也隨之加大,那么對于GaSb材料的物性研究成為該領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
       房丹老師的研究主要圍繞GaSb薄膜的制備、摻雜、表征、鈍化、InAs/GaSb超晶格的生長及表征,以及GaSb基量子阱的制備及發(fā)光性能的表征而展開。最后她總結(jié)博士期間的心得:堅(jiān)持、溝通、感恩、多學(xué)多做,才能取得滿意的研究成果。
       報(bào)告結(jié)束后,大家展開熱烈討論,氣氛活躍,與會的老師獲益良多,收獲匪淺。最后感謝房丹老師的細(xì)心講解。